A Wide-Operating Range Standard-Cell Based Memory in 28nm FD-SOI
- This study presents an energy-efficient ultra-low voltage standard-cell based memory in 28nm FD-SOI. The storage element (standard-cell latch) is replaced with a full- custom designed latch with 50 % less area. Error-free operation is demonstrated down to 450mV @ 9MHz. By utilizing body bias (BB) @ VDD = 0.5 V performance spans from 20 MHz @ BB=0V to 110MHz @ BB=1V.
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| Verfasser*innenangaben: | Oskar Andersson, Babak Mohammadi, Joachim Neves Rodrigues |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-43308 |
| Dokumentart: | Konferenzveröffentlichung |
| Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
| Datum der Veröffentlichung (online): | 14.03.2016 |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2016 |
| Veröffentlichende Institution: | Technische Universität Kaiserslautern |
| Datum der Publikation (Server): | 14.03.2016 |
| Seitenzahl: | 2 |
| Fachbereiche / Organisatorische Einheiten: | Kaiserslautern - Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| CCS-Klassifikation (Informatik): | B. Hardware / B.3 MEMORY STRUCTURES / B.3.0 General |
| DDC-Sachgruppen: | 6 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Sammlungen: | International Workshop on Emerging Memory Solutions |
| Lizenz (Deutsch): |  Standard gemäß KLUEDO-Leitlinien vom 30.07.2015 |